რობერტ ნოისი

რობერტ ნოისი
	რობერტ ნოისი
	ინგლ. Robert Noyce
დაბადებაშ თარიღი:	12 ქირსეთუთა, 1927
დაბადებაშ აბანი:	ბერლინგტონი, აიოვა, ააშ
ღურაშ თარიღი:	მანგი 3, 1990 (62 წანერი)
ღურაშ აბანი:	ოსტინი, ტეხასი, ააშ
მენოღალობა:	ააშ
ომენცარე სფერო:	ფიზიკა
სამუშაშ აბანი :	Philco; Fairchild Semiconductor; Intel
ალმა-მატერი:	გრინელიშ კოლეჯი; მასაჩუსეტსიშ ტექნოლოგიაშ ინსტიტუტი
ჯილდოეფი დო პრემიეფი:	სტიუარტ ბალანტაინიშ მენდალი (1966); ფარადეიშ მენდალი (1979); მენცარობაშ ერუანული მენდალი (1979); ჰაროლდ პენდერიშ პრემია (1980); ტექნოლოგიაშ დო ინოვაციაშ ერუანული მენდალი (1987); ჯონ ფრიციშ მენდალი (1989)

რობერტ ნორტონ ნოისი (ინგლ. Robert Norton Noyce; დ. 12 ქირსეთუთა, 1927, ბერლინგტონი, აიოვა, ააშ — ღ. 3 მანგი, 1990, ოსტინი, ტეხასი, ააშ) — ამერიკალი ფიზიკოსი დო ინჟინერი, კორპორაციეფიშ Fairchild Semiconductor-იშ დო Intel-იშ დუმარსხუაფალი. მიშეღჷ დიდი თია ინტეგრირებული მიკროსქემაშ გოვითარაფაშა.

რობერტ ნოისი გურაფულენდჷ გრინელიშ კოლეჯის, აიოვას დო უკულ მასაჩუსეტსიშ ტექნოლოგიაშ ინსტიტუტის, სოდეთ მიპალუ მენცარობაშ დოქტორიშ ხარისხი ფიზიკას, 1953 წანას. 1953 წანას ნოისიქ მუშობა ქიდიჭყჷ ინჟინერო Philco-შ კორპორაციას. 1956 წანას ნოისიქ კომპანია ქიდიტუ დო გეგნორთჷ Shockley Semiconductor Laboratory-შა, სოდეთ ტრანზისტორიშ გჷმმაგონებელი უილიამ ბრედფორდ შოკლიწკჷმა მუშენდჷ. მალას ნოისიქ შოკლიშ ლაბორატორია ქიდიტუ დო კოლეგეფწკჷმა ართო დარსხუ კორპორაცია Fairchild Semiconductor 1957 წანას. 1968 წანას ნოისიქ დო გორდონ მურიქ დარსხუეს კომპანია Intel.